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综合起来看，要想芯片制造水平达到7nm，需要EDA支持7nm，半导体材料也是支持7nm，半导体设备也支持7nm……而EUV光刻机只是其中的一种设备，就算我们突破了，美国或其它国家一样能够在其它设备、材料上卡住我们，因为目前国产的半导体材料、半导体设备，很多在28nm甚至更成熟的工艺，达到7nm的少之又少

物流很快，买完第二天就到了，现在已经刻了快50张光盘，无一失败，就是不知道能用多久，希望能多用几年

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如此情况下，这些芯片制造企业已不可能继续大规模采购EUV光刻机，对于更先进的High-NA EUV光刻机的采购也可能因此延期，毕竟市场需求不强的情况下，更先进的光刻机投资额巨大，会导致芯片制造企业承担巨大的风险

真的佩服京东的快递神速，产品是全新的，等配件到齐了，用过后再追加评论……想买的别犹豫哇！没有廉价的感觉，很高端，特别棒！老牌子14年买了第一台，现在还在用。

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IBM表示，明年会推出量子为中心的超级计算机，实现对现在这种硅基芯片超算的碾压

而中国在量子计算这样的领域，肯定也不会借过，毕竟硅基芯片落后了后，我们更需要换道超车，在量子计算上领先才行

为此，国内也一直在研发量子芯片，量子计算机等，近日，安徽省量子计算工程研究中心传出消息，我国量子计算机“悟空”即将面世

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IBM生产量子芯片时，使用的也是类似的“无损探针台”，这次我们也研发出来了，也就意味着在量子芯片上，被光刻机卡脖子的历史，再也不会出现了

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而在精度方面，90nm肯定没问题的，同时经过两次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以达到22nm左右的水平

那么能不能四次曝光，五次曝光，将精度提升上去？事实上，在实际使用中，2次曝光就已经很厉害了，像ASML等的光刻机 ，大多也只是进行2次曝光

不过也有人称，光刻机所指的精度，并不是指能制造芯片的精度，光刻机可以通过多次曝光，提升分辨率的，那么问题就来了，上海微电子的90nm光刻机，最多能生产多少纳米的芯片？据资料显示，目前上海微电子的90nm的光刻机，主要用于电源管理芯片、LCD驱动芯片、WiFI芯片、射频芯片、各类数模混合电路等

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比起DUV光刻机，它把193nm的短波紫外线替换成了13.5nm的极紫外线，能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸

而EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer，这个13.5nm的极紫外线是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的

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而前道工序更是重点，有至少8个工序，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试

而这里也要用到各种设备，众多的材料，光刻机只是其中的一种设备，这些设备大多和光刻机一样，是有精度要求的，分别要求达到7nm

正品，一直以来都用这牌子的刻录机，先锋刻录机稳定性好，读取速度快，读盘的声音小 刻录光盘很少有飞碟，可以刻录多种型号的光盘，刻录的光盘质量很好，能够保存的的时间长，是备份数据的好帮手，物有所值，很好用。

使用了几次，才来评价，全五星全五分好评！质量不错，读盘速度挺快，同时购买了一款外置的，这个还没有用过过。相信先锋品牌的质量，相信京东自营货物品质。

但让人没有料到的是，似乎在出货光刻机上迎来了变数

就在近日，国内的光刻机市场透露出了一个新的消息，那就是近期我们所进口的光刻机设备的价格高于市场价的3倍

虽然没有明确说明是ASML，可我们国内进口的光刻设备大多是来自于ASML

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众所周知，目前最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机，能够制造3nm的芯片

且在ASML的规划中，到2024年或2025年会交付全新一代的High-NA极紫外光刻机

这种EUV光刻机，数值孔径变为0.55NA，也就是解析度（精度）为8nm，可以制造2nm，以及1.8nm的芯片

而后道光刻机，同是用于芯片制造的后道工序，比如芯片封装等，另外还有光刻胶制造也需要后道光刻机等

相对而言，前道光刻机更难，更为重要

同时对精度要求也越高，所以前道光刻机又分EUV、DUV、UV光刻机

而DUV光刻机按照精度，又分为ArFi光刻机，用于45-7nm；ArF Dry用于65nm，KrF用于180nm等等

如上图所示，去年全球一共售出478台前道光刻机，其中ASML拿下309台，占比为65%，日本厂商拿下169台，占比为35%