特别是用于生产制造2nm、1.8nm等制程的High-NA EUV光刻机初期版本将于明年年末引进,预计2025年末将正式商用
ASML明年交付首台High-NA EUV光刻机ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示,目前公司正有序推行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术
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ASML正在准备向客户交付首台High-NA EUV光刻机,大概会在明年某个时间点完成
据悉,High-NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电,从1.5兆瓦增加到2兆瓦
主要原因是因为光源,High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦,ASML还使用水冷铜线为其供电
这种方式虽然增加了功耗,但对于那些对功耗并不敏感的产品来说,似乎也是可行的一种思路,那么我们真的有必要用到更贵的高NA EUV光刻机进一步提升密度吗?这个问题的答案其实不言而喻了,英特尔、台积电等晶圆厂提前预订的高NA EUV光刻机订单已经证明了它的重要性
应急买来用,很棒,安装方便,没有什么难度,用起来很好,下次还会购买,东西很好,推荐给大家,算是一个很好的配角,声音小,性能稳定
3纳米代工市场规模2026年将达到242亿美元,比今年(12亿美元)增加20倍以上
三星电子、台积电、英特尔等主要半导体企业开始引进EUV设备,随着工程技术的发展,预计3纳米将成为核心先进工艺
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光刻机国产替代迫在眉睫
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本人电脑配光驱是并口的,现在换了新主板已经没了并口,只得配串口光驱。之前用的是先锋光驱,用了多年性能依旧良好,所以这次还是选先锋。这款光驱质量不错,读盘很快,刻录效果也不错,声音很小,而且价格很实惠。
2nm、1nm全靠它!High-NA EUV光刻机2025年末将正式商用
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如今的深度学习在大规模模型的爆发下,所需算力每几个月就会翻一番,但现在能效比已经成了优先级更高的指标,要想同时满足性能和算力的话,主要方法有四种:一是换一种系统级计算架构,比如DSA架构;二是充分利用3D设计,也就是我们常说的3D封装和堆叠技术;三是从晶体管架构上创新,譬如纳米管、纳米片、CFET和原子沟道等;第四个则是目前看来最快捷的一条路线,通过光刻技术的发展直接提升密度
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