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光刻机_雕刻机_曝光系统

光刻机精度历史,EUV光刻机太难太贵

EBL电子束光刻机,大家可能熟悉了,前段时间美国公司Zyvex,就搞出了一台电子光刻机(EBL),并制造了768皮米(0.768nm),不过这种光刻方式速度慢,不可能用于规模芯片制造

纳米压印光刻技术,目前被佳能押注,目前佳能已经能够提供NIL光刻机,比如东芝,就一直想用NIL光刻机来生产NAND闪存,同时在NIL光刻专利中,佳能遥遥领先

EUV光刻机太难太贵

光刻机精度历史

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当然,目前NIL光刻机还不能与EUV光刻机相比,NIL光刻机远远达不到EUV的精度,但未来能可就说不准

DSA光刻,目前没有一定特定的厂商下注,就像佳能对于NIL技术一样

但如下图所示,在NIL、EUV、DSA三大光刻机上巨头们都早已布局了

台积电三星这两大晶圆巨头,则是NIL、EUV、DSA三大光刻技术,都是做了准备,不过EUV光刻的专利相对多一点,再是NIL,最后是DSA

蔡司作为EUV光刻机的重要供应链,主要还是发务EUV,专利上占到了353件,而NIL也有38件,DSA则为0

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光驱很漂亮,启动的声音很小,弹出非常平稳。希望能够用的时间久一些。读盘速度:很快读盘声音:声音小,几乎听不到产品包装:精美

众所周知,在当前的芯片制造环节中,光刻是其中一个必不可少的重要环节

而光刻就需要用到光刻机,而7nm及以下芯片的光刻时,就需要用到EUV光刻机

EUV光刻机非常复杂,全球只有ASML一家企业能够生产

同时EUV光刻机成本非常高,一台EUV光刻机售价超过10亿元最新的0.55数值孔径的EUV光刻机,价格更是超过3亿美元(20亿元)

这对于一般的晶圆企业而言,是不可承受的成本,所以一直以来,业界都探讨EUV光刻机的替代方案

目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种,分别是1、纳米压印光刻(NIL);2、直接自组装(DSA)光刻;3、电子束光刻(EBL)

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