当台积电在2nm研发上切入GAAFET（环绕栅极晶体管）技术时，其竞争对手三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并「大放厥词」：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位
中国有能力生产光刻机上海微电子
作为制造芯片最先进的设备，光刻机的先进程度等直接决定了芯片的制程工艺
目前来看，荷兰的ASML几乎垄断了世界上的高端光刻机，且产量非常少，价格贵
自2017年ASML第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产
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2015年，14nm时代开始，成为芯片制程发展的一个分水岭，而联电却在此止步
到了2017年步入10nm时代，英特尔却死死地卡在10nm上，导致i5和i7处理器由于良率问题而迟迟无法交货
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2025年量产
作为全新的芯片制作工艺平台，N2制程的核心创新在于两点：纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）
台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」（GAA nanosheet transistors），晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了电能泄漏
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老牌半导体经销商智融科技的高管Dan Hutcheson称，「High-NA EUV光刻机是芯片制造业的下一个重大创新突破，拥有者将会引领行业
」台积电负责研发的高级副总裁米玉杰称：「2024年的此引进，将会用来开发相关基础设施与类型工艺，以求推动能满足顾客的创新」
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