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携带方便功能强很好用，读碟广泛很好的刻录机。读盘声音：小产品包装：严实稳定性能：稳定外形外观：好读盘速度：很快轻薄程度：适中
这种方式比传统光刻分辨率更高，加工速度也不受影响，但它对材料控制的要求特别高，目前还没有成熟的解决方案，还处在实验室阶段
而对这一技术研究较深的是比利时微电子中心、麻省理工学院，他们都建立了自组装产线，进行相关研究，三星在DSA上申请的专利最多，也非常重视这一 技术
国内12月可生产11nm光刻机
所以其它厂商，只能另想办法，换道超车，用另外的技术来替代EUV光刻机
目前已经有三大方案，都被认为是可以替代EUV光刻机方案的，并且被大家重视，很多企业更是投入巨资研发，以期有所突破，进而替代EUV光刻机
第一大方案是NIL纳米压印，其原理类似于打印机一样，先在模具上刻上纳米电路的图案，再把这个图压在硅片的感光材料上，同时用紫外线照射，就能完成转印，这种方式可以达到至少2nm的精度
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不过可惜的是，当前我们似乎在这三种方案上都不太突出，当然也有可能是保持低调，不愿意秀出实力来，但不得不说，研究EUV光刻机，或者研究能替代EUV光刻机的技术，对于中国芯而言，是势在必行，再难也要上的，否则中国芯就会一直被卡脖子，你觉得呢？
第二大方案是电子束光刻机(EBL)，用高能电子束来替代极紫外线，电子对应的波长只有0.04纳米，加工精度就比EUV又高了不少
目前在这一块比较突出的是美国，前不久前段时间美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm）
三种EUV光刻机替代方案
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并且Zyvex还接受电子束光刻机订单，称只需要6个月就可以交货，很明显，这种技术也能够替代EUV光刻机，唯一的用这种方式，速度非常慢，但后期还有改进空间
第三大方案则是自组装（DSA）光刻，所以谓的自组装光刻，就是用一些化学物质，诱导光刻材料在硅片上自发组成我们需要的结构，中间不需要光刻机参与
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