要知道，半导体行业进步的背后有着一条金科玉律，那就是「摩尔定律」
摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番
当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候，对新的晶体管技术提出了需求
在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET
根据这些数据，权威硬件新闻网站Tom's Hardware的报道者表示，总体来看，N2的全世代制程较之前有明显的性能和耗电改观
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这在当下晶体管体积越发接近原子体积时，将会越来越突出
而且台积电「环绕栅极式纳米片电晶体管」的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本
为了给这些「纳米片电晶体管」提供足够的电能而且避免漏电损耗，台积电的N2制程使用背面配电线路（backside power rail）
duv与ev光刻机的异同
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2025年量产
作为制造芯片最先进的设备，光刻机的先进程度等直接决定了芯片的制程工艺
目前来看，荷兰的ASML几乎垄断了世界上的高端光刻机，且产量非常少，价格贵
自2017年ASML第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产
也就是说，GAA (gate-all-around，简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律
据称，台积电N2将使用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术，于2025年开始量产
N2在性能、功效上有明显提升，不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大
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