简单来说，复旦大学成功实现了CFET晶体管，该晶体管在当前的应用特点，是可以实现集成度的翻倍，这与提升芯片制造工艺的结果是一样的，因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度
因此我们就可以看到，将芯粒、CFET和先进封装结合起来，就可以实现异质异构芯片，异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比，性能上并不占有劣势，但是成本上却占有极大优势
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在芯片设计上，28纳米工艺只需要4280万美元，7纳米则需要2.486亿美元，3纳米已经需要5.811亿美元，2纳米预计需要7.248亿美元，所以一颗3纳米芯片的设计成本，就是28纳米工艺的近14倍，超40亿人民币
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中国芯片在底层技术上实现突破
这种成本所暴露的问题，在光刻机上也开始显露
ASML方面在今年就已经表示，在高NA EUV光刻机的下一代产品上，光刻技术似乎已经走到了尽头
倒不是说技术上做不到，而是成本上难以承受，光刻机的NA可以继续提升，但是成本将高出天际
所以产业界开始寻找减少对先进工艺依赖的方法，目前已经取得了不错的成绩，即芯粒和先进封装技术
我们现在的芯片，本质上是同质同构，也就是采用同样的材料和同一种芯片架构
而芯粒技术，就是采用不同的芯片架构，在芯片制造的后端环节，利用先进封装，再将不同架构的芯片集成到一起，形成一颗“大芯片”，所以芯粒也被叫做“小芯片”技术
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这还只是同质异构芯片刚刚被应用的开始，而异质异构芯片量产后，这种趋势将会更加明显
而ASML或许始料未及，中国在芯片技术上的发展会如此之快，因为在CFET晶体管技术上，ASML的盟友比利时微电子也将此作为未来的技术发展方向，但现在复旦大学却已经实现了
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