因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲，GDP仍然差距较大
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
历时20年之久，中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破，中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性，开始探讨突破193nm的方法
而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作，并且成功在2010年正式研发出第一台EVU原型机
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中国离7nm光刻机还有多远?
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虽然迫于美国的压力，荷兰无法向中国出售先进制程的光刻机，但庞大的中国市场，让ASML无法拒绝其诱惑力，数据统计显示，在2022年第一季度，ASML共交付62台光刻机，其中21台DUV都成功销往中国
【“求人”不如“求己”】 回顾中国的半导体行业，光刻机的技术发展历程可谓是曲曲折折，但这也无时无刻在警醒着中国，不能长期靠“外来力量”，究其根本还是要靠自己
物流很快，上午下单下午就到了。东西很轻，主要用来读DVD和CD，目前没有什么问题，声音不大，刻录没用过。基本满足需求。
国产极紫光刻机
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其次，就算拥有了精密的零件制造业基础，在光学系统、组装技术等知识、技术等方面也是如今光刻机技术突破的一大难题，因为这一系列的技术知识关乎着一个光刻机能否正常运行以及生产和产出
虽然中国随着近代发展，新兴产业在大量扩展，但是基层技术知识与创新理念却并未进行细耕，也就导致中国的光刻机技术出现一定的差距，这也就成为了目前中国光刻机技术想要进一步突破的关键
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伴随着晶体管的研发成功，我国相关的科研进度也飞速加快，然而“天公不作美”，尽管我国努力在向着光刻机制造产业前进，但仍然困难重重