简单来说，复旦大学成功实现了CFET晶体管，该晶体管在当前的应用特点，是可以实现集成度的翻倍，这与提升芯片制造工艺的结果是一样的，因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度
因此我们就可以看到，将芯粒、CFET和先进封装结合起来，就可以实现异质异构芯片，异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比，性能上并不占有劣势，但是成本上却占有极大优势
这种成本所暴露的问题，在光刻机上也开始显露
ASML方面在今年就已经表示，在高NA EUV光刻机的下一代产品上，光刻技术似乎已经走到了尽头
倒不是说技术上做不到，而是成本上难以承受，光刻机的NA可以继续提升，但是成本将高出天际
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而之所以是一条捷径，是因为还没有找到其他更好的办法，这样的情况让台积电和ASML迅速崛起，台积电可以提供最先进的制造工艺，而ASML可以提供支撑最先进工艺的光刻机
在芯片制造上，28纳米晶圆的价格是3000美元，7纳米是10000美元，5纳米是16000美元，3纳米是超20000美元，3纳米晶圆的成本是28纳米的约7倍
所以产业界开始寻找减少对先进工艺依赖的方法，目前已经取得了不错的成绩，即芯粒和先进封装技术
我们现在的芯片，本质上是同质同构，也就是采用同样的材料和同一种芯片架构
而芯粒技术，就是采用不同的芯片架构，在芯片制造的后端环节，利用先进封装，再将不同架构的芯片集成到一起，形成一颗“大芯片”，所以芯粒也被叫做“小芯片”技术
中国制造光刻机技术
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ASML恐始料未及
而受到影响最大的，应该就是ASML，因为市场对EUV光刻机的依赖性将会降低，事实上，在芯粒和先进封装技术被应用后，这种对EUV光刻机的依赖性已经出现降低的现象，例如无论是英特尔的欧洲工厂还是台积电的美国工厂，都没有采购新的EUV光刻机，而是通过移机的形式，即采用老工厂的旧设备，台积电甚至还将3纳米工艺的产能缩减了约8成，7纳米工艺的一座新厂也被取消
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