资料显示，EUV光刻机采用波长为13.5nm的激光等离子体光源作为光刻曝光光源
使其波长达到193nm的1/14，几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限，将最小工艺节点推进至7nm
全球首台EUV光刻机原型说到这，可以看出光刻机一路的发展其实都算是在挑战“极限”，不断靠近最小工艺节点
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光刻机为啥这么难造?比原子弹还稀有
由于要实现更精细的工艺节点，光刻机必须要把光刻画成直径极其微小的线条，而这个初始光源就显得尤为重要了
EUV光刻机使用的是13.5纳米的极紫外线，这种紫外线是短波紫外线多次反射后得到的
而得到这个光的方法，不亚于用乒乓球打苍蝇，而且是每秒要打五万次，次次都得击中
台湾讲大陆买光刻机视频
上世纪我国第一颗原子弹爆炸成功之后，世界为之震惊，国人也为此自豪
如今时过境迁，在岁月洪流的推动之下，出现了一种比原子弹还稀有的东西，它就是光刻机，其制造难度属于“地狱级别”
为什么光刻机如此难造？因此到目前为止，全世界仅有两个国家掌握了制造光刻机的主流技术
第一代为接触式光刻机，掩模会和光刻胶直接接触，使掩膜版和基片都易受到损伤
第二代是接近式光刻机，掩膜版与基片之间的间隙虽然使得这一代的寿命变得很长，但是成像质量也受到了影响，分辨率明显下降
到了第三代时，就已经有了明显进步了，属于扫描投影式光刻机，在这种技术下光学曝光分辨率增强得到了突破，将光刻推向了深亚微米和百纳米级别
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投影式光刻机与照相机的对比示意图至于第四代步进式扫描投影光刻机，就实现了在光刻过程当中掩模和硅片同步移动，将芯片的“最小工艺”节点再次拔高
第五代EUV光刻机，就是现在各国追求的尖端光刻机
因为这个光刻机，已经将最小工艺节点推向了一个“极限”
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