光线折射技术就是光刻机的核心技术之一，从90nm工艺以来，DUV光刻机所采用的光源都是193nm的光源，而EUV光源则是13．5nm，通过在水等介质的多次折射得到相应波长的光线，从而实现了以193nm光源生产65nm至7nm工艺、13．5nm光线实现7nm至2nm的工艺，而这家企业公布的光线折射技术恰恰解决了光刻机的关键技术
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曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有泵灯，准分子激光器等
近日有国内企业公布了一项关于光线折射等的EUV光刻机专利，这对于国内光刻机产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破
目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产，而ASML深受美国的影响，在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机，这也成为中国芯片制造的最大障碍
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光刻的分辨率受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制
近几年来中国极力发展芯片制造产业链，经过近十年来的努力，中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm，刻蚀机更已达到5nm，而芯片封测技术已达到3nm，仅有光刻机还停留在28nm以上
光刻机也成为中国芯片制造最后需要打通的环节，而随着更多企业的加入，特别是近期一家重量级企业成功研发了光线折射技术，对于中国的光刻机产业来说无疑是巨大的突破
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