中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm,国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术,如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片,对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降
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早前中国一家企业就被媒体报道已筹建全球第一条光子芯片生产线,预计最快在明年量产,一旦光子芯片实现商用,那将彻底革新当下的芯片技术,光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍,功耗则只有硅基芯片的千分之一,具有广阔的应用前景
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对于现有的硅基芯片,全球最大的芯片制造企业台积电研发先进工艺已遇到了巨大阻力,3nm工艺已延迟了一年,在今年三季度研发成功后却被苹果认为用它试产的A16处理器性能不达标,成本却太高,最终苹果舍弃了3nm工艺,导致台积电的3nm工艺面临无客户采用而没有量产
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多条重磅消息传出
台积电和美国芯片企业都在舍弃ASML的EUV光刻机,ASML终于开始重新将目光放在中国市场,近期表示将大举扩张光刻机的产能,EUV光刻机产能将提升到90台,DUV光刻机产能增加至600台,然而它迟迟未能对中国自由出货,而中国芯片已经等不及了
其次是美国光刻机企业Zyvex公司研发电子束光刻机,绕开了ASML的EUV光刻机,并且将先进工艺提升到0.768纳米,打破了ASML尚未量产的第二代EUV光刻机的极限,为芯片制造开辟了新的道路,如此一来美国芯片企业未来很可能不再采购ASML的EUV光刻机