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曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域,光源有泵灯,准分子激光器等
近日有国内企业公布了一项关于光线折射等的EUV光刻机专利,这对于国内光刻机产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破
目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产,而ASML深受美国的影响,在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机,这也成为中国芯片制造的最大障碍
读盘速度:挺好的,~~~ 读盘声音:很小~~~ 稳定性能:好好 轻薄程度:方便清小 外形外观:时尚时尚 产品包装:还好啦
芯片这东西,就是电子产品最核心的东西,放在汽车上等同于发动机,是一切的核心
随着科技的发展,手机也越来越先进,拥有的功能也越来越多,对于芯片要求也越来越高,芯片承载负荷也随着增高,所以就需要更强大的芯片
光线折射技术就是光刻机的核心技术之一,从90nm工艺以来,DUV光刻机所采用的光源都是193nm的光源,而EUV光源则是13.5nm,通过在水等介质的多次折射得到相应波长的光线,从而实现了以193nm光源生产65nm至7nm工艺、13.5nm光线实现7nm至2nm的工艺,而这家企业公布的光线折射技术恰恰解决了光刻机的关键技术
光刻机是芯片生产中最昂贵也是技术难度最大的设备,因为其决定了一块芯片的整体框架与功能
其实生产高精度芯片并不难,只是生产速度太慢,而光刻机能快速生产高精度的芯片,所以很重要
光刻机工作原理利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光之后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用
照相机拍摄的照片是印在纸片上,而光刻刻的不是照片,而是电路图和其他电子元件
光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上,形成图形
光刻机性能指标光刻机主要性能指标有:支持基片的尺寸范围,分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等
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