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当台积电在2nm研发上切入GAAFET（环绕栅极晶体管）技术时，其竞争对手三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并「大放厥词」：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位

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但就芯片的单位面积晶体管密度而言，N2相较于N3，并没有N3相较于N5的进步程度

所以N2制程的亮眼程度或许不如预期中惊艳

台积电称将在各种产品上应用N2制程，例如移动设备SoC（集成系统芯片）、高性能CPU与显卡等

而且台积电还提到了「小芯片集成」，业界猜测很多使用N2制程的产品，也会使用多块小芯片的打包版来降本增效

据称台积电将会在2025年下半年开始大规模使用N2制程上量生产芯片

考虑到当代半导体生产周期，商用的2纳米芯片将会在2025年晚期或者2026年初在市面上出现

台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持

东西已经收到！手感不错！用料扎实！质量很好！平常用基本没有问题！先锋刻录机质量一直很稳定，买来试用刻录了几张光盘，没什么问题。

作为全新的芯片制作工艺平台，N2制程的核心创新在于两点：纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）

此两点都是为了提高单位能耗中芯片性能而设计的

台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」（GAA nanosheet transistors），晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了电能泄漏

一直用的这个品牌的，质量非常好，还没上手用新买的，希望能够好用，一次买了两个，办公方便。

台积电杀手锏来了：2nm先进制程首亮相

未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机

作为制造芯片最先进的设备，光刻机的先进程度等直接决定了芯片的制程工艺

目前来看，荷兰的ASML几乎垄断了世界上的高端光刻机，且产量非常少，价格贵

自2017年ASML第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产

要知道，目前公开称有5nm芯片制造能力的只有台积电和三星两家

当台积电在2nm研发上切入GAAFET（环绕栅极晶体管）技术时，其竞争对手三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并「大放厥词」：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位

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这两款芯片都是台积电代工生产的，并且采用的是FinFET架构

台积电5nm虽然已经量产，但产能还是很有限，还在持续提升中

这也算是为两家企业2-3nm制程的市场之战吹响了号角

为了抢在台积电之前完成3nm的研发，三星的芯片制造工艺由5nm直接上升到3nm，4nm则直接跳过

近年来，我们看到了台积电不断将工艺的先进制程推向更高点，7nm，5nm，3nm，2nm，1nm...台积电在先进制程方面可谓是一骑绝尘

2020年，5nm量产

中国自己研制光刻机

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这在当下晶体管体积越发接近原子体积时，将会越来越突出

而且台积电「环绕栅极式纳米片电晶体管」的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本

为了给这些「纳米片电晶体管」提供足够的电能而且避免漏电损耗，台积电的N2制程使用背面配电线路（backside power rail）

台积电认为这是在「后段布线制程工序」(BEOL) 中克服电阻的最佳解决方案的一种

工序上做出如此改进后，在同等能耗和复杂度下，N2的性能比N3高10%-15%

在相同速度和单位面积晶体管平均数目下，N2的能耗比N3低25%-30%

台积电杀手锏来了：2nm先进制程首亮相

6月16日，台积电在2022年度北美技术论坛上，官宣将推出下一代先进制程N2，也就是2nm制程

2nm来了，终结FinFET一直以来，包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术

未来比3nm更先进的工艺，将极度依赖高NA EUV光刻机

作为制造芯片最先进的设备，光刻机的先进程度等直接决定了芯片的制程工艺

目前来看，荷兰的ASML几乎垄断了世界上的高端光刻机，且产量非常少，价格贵

自2017年ASML第一台量产的EUV光刻机正式推出以来，三星的7nm/5nm工艺，台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产

很好用，读碟效果很好，以前的老光驱有的不能读的碟这个基本都能读出来，满意。买了几次，现在的刻录机价格便宜，质量不错，刻盘坏的很少，值得购买。