实际上,就在今年年中的时候,台积电方面就表示,将CEFT晶体管技术作为未来的发展重点,且将CFET作为GAAFET的接班人,GAAFET是3纳米和2纳米工艺的晶体管技术,3纳米之前采用的是FinFET晶体管,英特尔方面也在大力发展CEFT晶体管
简单来说,复旦大学成功实现了CFET晶体管,该晶体管在当前的应用特点,是可以实现集成度的翻倍,这与提升芯片制造工艺的结果是一样的,因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度
因此我们就可以看到,将芯粒、CFET和先进封装结合起来,就可以实现异质异构芯片,异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比,性能上并不占有劣势,但是成本上却占有极大优势