比如,7纳米逻辑芯片晶圆厂的光刻机投资中:1,干式DUV光刻机的投资比例是10%,;2,浸没式DUV光刻机的投资比例大约是50,;3,数值孔径NA0.33的第一代EUV光刻机的比例是40%
当然,到了2纳米节点以下,有需要引入更加昂贵的第二代高NA0.55 EUV光刻机,这意味着2纳米逻辑节点以下,晶圆厂的EUV光刻机投资总额进一步增加
中国为什么有那么多“弯道超车”故事?再论EUV光刻机的战略价值蚀刻机与光刻机
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