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很好用，而且用了一段时间了还没坏，我们经常用，也经常会用坏，所以买这个很划算 稳定性能：好

而近日，ASML方面又做出了新的计划，其表示将在2025年实现600台DUV的生产能力，但EUV光刻机只有90台，其高NA EUV光刻机，则是到2028年实现20台的产能，可以看到在产能上的对比强烈，DUV的产能是EUV的近七倍，是高NA EUV光刻机产能的至少30倍

更关键的是，ASML可不是没有自己的担忧，我们国产光刻机也在快速发展，之前ASML方面就已经表示，物理定律在荷兰与在中国是一样的，也就是说，ASML可以利用物理定律制造出先进光刻机，我们也能，只是时间问题，如果ASML不抓住这个时间窗口，一旦窗口关闭，那么再想进来可就难了，如果您觉得说得在理，感谢给个点赞和在看

所以其它厂商，只能另想办法，换道超车，用另外的技术来替代EUV光刻机

目前已经有三大方案，都被认为是可以替代EUV光刻机方案的，并且被大家重视，很多企业更是投入巨资研发，以期有所突破，进而替代EUV光刻机

第一大方案是NIL纳米压印，其原理类似于打印机一样，先在模具上刻上纳米电路的图案，再把这个图压在硅片的感光材料上，同时用紫外线照射，就能完成转印，这种方式可以达到至少2nm的精度

刻录机一直买先锋，刻盘成功率高，废盘很少，买刻录机就买先锋。这款刻录机外观简洁大气，做工很好，使用也非常好，读取刻录都很棒，还没刻过坏盘！

先是中芯国际正常下单的EUV光刻机的交付时间不断推迟，直到今天依然没有交付，EUV光刻机也形成了事实上的“断供”；其后一直在正常交付的DUV光刻机成为了新的目标，多家外媒报道美国政府正在向ASML施压要求不准继续向中国销售DUV光刻机

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因此，关于极紫外光刻机光源部分的国内研究，基本上已经覆盖在我去年撰写的《中国光刻机困局》系列之中

这种方式比传统光刻分辨率更高，加工速度也不受影响，但它对材料控制的要求特别高，目前还没有成熟的解决方案，还处在实验室阶段

而对这一技术研究较深的是比利时微电子中心、麻省理工学院，他们都建立了自组装产线，进行相关研究，三星在DSA上申请的专利最多，也非常重视这一 技术

众所周知，光刻机是芯片制造的母机，是最核心的设备之一

而EUV光刻机，则用于7nm及以下的芯片制造，且只有ASML一家企业能够生产

考虑到ASML是集全球之力造EUV光刻机，且与上下游形成了利益同盟，所以其它厂商想在EUV光刻机上超过ASML，基本上不可能的

光刻机事业已到尽头

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在美国政府看来，虽然中国出口的中低端芯片不会对美国、韩国以及欧洲等国制造的高端芯片构成挑战，但是中国也凭此占据了产业链中极为重要的一环，如果哪一天中国提高中低端芯片的售价或者限制出口量，一些同处一条产业链上的美欧企业，将会受到极大的影响

读碟挑剔，咨询客服，无回复。拿到手沉甸甸的，包装很好，装机试了一下，读盘很快，稳定，希望用的久一些

二是找到能够一批上、下游都能够替代的厂商，这就更加困难了，所以其它的光刻机企业，在EUV这个赛道上，是不太可能与ASML竞争的，除非换赛道，以另外一种技术试

目前佳能是押宝纳米压印光刻（NIL）技术，而美国有企业在在搞电子束光刻机(EBL)，还有企业在研究直接自组装（DSA）光刻，X-射线光刻等，都是绕开EUV技术

为何无可替代?因为是美欧日韩台一起在战斗

ASML对DUV光刻机的提产幅度是最多的，600台DUV光刻机相当于目前3倍的产能水准了，一旦这么多的光刻机投放到市场上，估计会遍布全球各地的芯片生产线

值得一提的是，未来ASML还会出货下一代的NA EUV光刻机，作为现款EUV光刻机的升级款，用于支持2nm芯片制造

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荷兰大臣公开表态:向中国出售光刻机!美媒:拦不住了

我在之前的视频里讲过，华为的光源专利，其目的就是先对强光源进行去相干处理，以达到匀光效果，这样才能保证光刻工艺的正常进行

ASML光刻机的精度跟光源的波长、物镜的数值孔径是有关系的，波长越短越好，刻机分辨率就越高，制程工艺越先进

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2012年，中国科学院光电技术研究所承担了超分辨光刻装备的研制任务，经过近7年艰苦攻关，在无国外成熟经验可借鉴的情况下，突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米