如上图所示,这是4大厂商的光刻机精度
其中用于7nm及以下芯片制造的EUV光刻机,只有ASML能够生产
而尼康能搞定高端的7-28nm的AiF+浸润式光刻机,但佳能、上海微电子却还停留在90nm,只能生产低端的光刻机
因为实践表示,3次曝光会导致良率大幅度下降,4、5次良率可能会低到没法想象,晶圆厂们的成本高到没法承受,不如买一台更高级光刻机,成本还低一些
所以,目前国内在努力的研发28nm的光刻机,这样经过两次曝光后,可以搞定14nm,至于7nm工艺,那最好还是期待EUV光刻机,用28nm的来曝光三次,良率没法看